ASTM E722-19
電子設(shè)備輻射硬度試驗(yàn)用等效單能中子注量表征中子注量譜的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
Standard Practice for Characterizing Neutron Fluence Spectra in Terms of an Equivalent Monoenergetic Neutron Fluence for Radiation-Hardness Testing of Electronics
ASTM E722-19 發(fā)布?xì)v史
ASTM E722-19由美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì) US-ASTM 發(fā)布于 2019-10-01。
ASTM E722-19在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: 31.080.01 半導(dǎo)體器分立件綜合。
ASTM E722-19 電子設(shè)備輻射硬度試驗(yàn)用等效單能中子注量表征中子注量譜的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程的最新版本是哪一版？
最新版本是 ASTM E722-19 。
ASTM E722-19 發(fā)布之時(shí)，引用了標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E170 有關(guān)輻射測(cè)量和劑量測(cè)定的標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)
- ASTM E265 用硫-32的放射性測(cè)量快速中子流量密度和反應(yīng)速率的測(cè)試方法
- ASTM E3084 用非電離能量損失（NIEL）表征材料粒子輻照的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程*， 2022-07-01 更新
- ASTM E693 根據(jù)每個(gè)原子(DPA)、E706(ID)位移辨別鐵和低合金鋼中子照射特性的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E720 電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)中中子波譜測(cè)定用中子激活箔的選擇和應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E721 電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用中子激活箔測(cè)定中子能譜的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E844 E-706(ⅡC)反應(yīng)堆監(jiān)視用傳感器裝置設(shè)計(jì)和輻照的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E944 反應(yīng)堆監(jiān)測(cè)時(shí)中子光譜調(diào)節(jié)法的應(yīng)用
* 在 ASTM E722-19 發(fā)布之后有更新，請(qǐng)注意新發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)的變化。
ASTM E722-19的歷代版本如下：
- 2019年 ASTM E722-19 電子設(shè)備輻射硬度試驗(yàn)用等效單能中子注量表征中子注量譜的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- 2014年 ASTM E722-14 電子輻射硬度測(cè)試用等效單能中子注量中中子注量譜表征的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- 2009年 ASTM E722-09e1 確定電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用等效單能級(jí)中子流量的能級(jí)中中子流量能譜的特征的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- 2009年 ASTM E722-09 確定電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用等效單能級(jí)中子注量的能級(jí)中中子能量注量能譜的特征
- 2004年 ASTM E722-04e2 確定電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用等效單能級(jí)中子注量的能級(jí)中中子能量注量能譜的特征
- 2004年 ASTM E722-04e1 確定電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用等效單能級(jí)中子流量的能級(jí)中中子能量流量能譜的特征的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- 2004年 ASTM E722-04 確定電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用等效單能級(jí)中子流量的能級(jí)中中子能量流量能譜的特征的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- 1994年 ASTM E722-94(2002) 確定電子輻射強(qiáng)度試驗(yàn)用等效單能級(jí)中子注量的能級(jí)中中子能量注量能譜的特征
1.1 本實(shí)踐涵蓋了用等效單能中子注量來(lái)表征源中子注量的程序。它適用于中子效應(yīng)測(cè)試、測(cè)試規(guī)范的制定以及中子測(cè)試環(huán)境的表征。這些源可以具有寬的中子能量范圍，或者可以是能量高達(dá)20MeV的單能中子源。這種做法不適用于位移損傷的主要來(lái)源是能量低于 10 keV 的中子的情況。相關(guān)等效性是指對(duì)源光譜所入射的材料的某些物理特性的特定影響。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，需要了解中子作為能量函數(shù)對(duì)感興趣材料的特定性質(zhì)的影響。在單能源的情況下，中子能量效應(yīng)的急劇變化可能會(huì)限制這種做法的有用性。
1.2 本實(shí)踐以普遍適用于各種材料和來(lái)源的方式呈現(xiàn)。由不同粒子（電子、中子、質(zhì)子和重離子）引起的位移 (1-3)2 之間的相關(guān)性超出了本實(shí)踐的范圍，但在實(shí)踐 E3084 中得到了解決。在電子半導(dǎo)體器件的輻射硬度測(cè)試中，感興趣的特定材料包括硅和砷化鎵，中子源通常是測(cè)試和研究反應(yīng)堆以及锎252輻照器。
1.3 所涉及的技術(shù)依賴于以下因素：(1) 詳細(xì)確定中子源注量譜，以及 (2) 了解中子的退化（損壞）效應(yīng)作為能量對(duì)特定材料特性的函數(shù)。
1.4 1.3 中提到的中子注量譜的詳細(xì)測(cè)定不需要對(duì)每次試驗(yàn)暴露重新進(jìn)行，只要暴露條件是可重復(fù)的。當(dāng)不重復(fù)進(jìn)行能譜測(cè)定時(shí)，每次試驗(yàn)暴露均應(yīng)使用中子注量監(jiān)測(cè)儀。
1.5 以 SI 單位表示的值應(yīng)被視為標(biāo)準(zhǔn)值。除 MeV、keV、eV、MeV·mbarn、rad(Si)·cm2 和 rad(GaAs)·cm2 外，本標(biāo)準(zhǔn)中不包含其他測(cè)量單位。
1.6 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任建立適當(dāng)?shù)陌踩?、健康和環(huán)境實(shí)踐，并在使用前確定監(jiān)管限制的適用性。
1.7 本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)世界貿(mào)易組織貿(mào)易技術(shù)壁壘（TBT）委員會(huì)發(fā)布的《關(guān)于制定國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、指南和建議的原則的決定》中確立的國(guó)際公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)化原則制定的。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 位移損傷功能 displacement damage function | 與目標(biāo)原子上可觀察到的位移損傷和中子注量成比例的能量依賴參數(shù)。 |
| 顯微鏡下位移損傷KERMA因子 microscopic displacement kerma factor | 能量依賴的中子在特定材料中的顯微鏡KERMA與注量之比。 |
| 等效單能中子注量 equivalent monoenergetic neutron fluence | 表征入射中子注量譜的單能中子注量，用于特定材料的損傷評(píng)估。 |
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- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- ASTM E722-19
- 發(fā)布
- 2019年
- 總頁(yè)數(shù)
- 28頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)
- 當(dāng)前最新
- ASTM E722-19
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E170 ASTM E265 ASTM E3084 ASTM E693 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E844 ASTM E944
ASTM E722-19 中提到的儀器設(shè)備
| 測(cè)試反應(yīng)堆 可用于硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料的輻照測(cè)試。 | 用于產(chǎn)生中子注量譜進(jìn)行輻射硬度測(cè)試。 |
| Californium-252 輻照器 中子源能量范圍：≤20 MeV。 | 用于半導(dǎo)體器件的輻照測(cè)試。 |