1.1 本實踐涵蓋了用等效單能中子注量來表征源中子注量的程序。它適用于中子效應測試、測試規(guī)范的制定以及中子測試環(huán)境的表征。這些源可以具有寬的中子能量范圍,或者可以是能量高達20MeV的單能中子源。這種做法不適用于位移損傷的主要來源是能量低于 10 keV 的中子的情況。相關等效性是指對源光譜所入射的材料的某些物理特性的特定影響。為了實現(xiàn)這一目標,需要了解中子...
術語 | |
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位移損傷功能 | displacement damage function |
顯微鏡下位移損傷KERMA因子 | microscopic displacement kerma factor |
等效單能中子注量 | equivalent monoenergetic neutron fluence |
測試反應堆 可用于硅和砷化鎵等半導體材料的輻照測試。 | 用于產(chǎn)生中子注量譜進行輻射硬度測試。 |
Californium-252 輻照器 中子源能量范圍:≤20 MeV。 | 用于半導體器件的輻照測試。 |
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