電子從左向右流動,使左側(cè)的界面金屬間化合物層變厚,反過來在右側(cè)的變薄。像這樣在+極側(cè)和-極側(cè)化合物的生長的差異,是因熱擴散和電子遷移擴散的和或差的不同所導(dǎo)致的,在左側(cè)由于熱造成的化合物生長的方向和由電子遷移擴散驅(qū)進(jìn)的化合物生長的方向一致,因而化合物生長得厚,而在右側(cè)二者是相反的,因而生長的厚度薄...
前面已介紹,倒裝片流入的平均電流值大致為10^4A/cm2。由此可知,缺陷的形成集中在電流密度高的部分。這里作為化合物的生長的例子,如圖6所示。Cu配線電流密度高的左側(cè)部分幾乎消失,而其化合物的生長卻很顯著。圖6 Pb3Sn的倒裝片接續(xù)部生成的電子遷移 (2.55×10^4A/cm2,155℃)倒裝...
一、問題的引出電子遷移長期以來用于研究半導(dǎo)體配線缺陷的形成機理及對策。伴隨著半導(dǎo)體配線的微細(xì)化,流過配線的電流值顯著上升。今天VLSI中的Al或Cu線寬為0.1μm、厚0.2μm的截面上,即使只通過1mA的電流,其電流密度也高達(dá)106A/cm2。面對如此大的電流密度,只要溫度稍有變化,也將很容易導(dǎo)致...
摘要:鈣鈦礦太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率進(jìn)步如此之大,而且比傳統(tǒng)的硅電池更便宜、更易生產(chǎn),《Science》把它評為2013年的10大科學(xué)突破之一。但這些材料的一個重要缺點是有毒,如何降低其對環(huán)境及人類和動物健康影響十分關(guān)鍵。用錫代替鉛?《Nature Materials》(影響因子36.503)告訴你這...
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