ISO 25498:2018
微光束分析.解析電子顯微測(cè)定法.透射式電子顯微鏡對(duì)選定區(qū)域進(jìn)行電子衍射分析

Microbeam analysis - Analytical electron microscopy - Selected area electron diffraction analysis using a transmission electron microscope

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標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

ISO 25498:2018

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2018年

總頁數(shù)

46頁

發(fā)布單位

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織

當(dāng)前最新

ISO 25498:2018

 

 

引用標(biāo)準(zhǔn)

ISO/IEC 17025

適用范圍

本文件規(guī)定了使用透射電子顯微鏡 (TEM) 進(jìn)行選區(qū)電子衍射 (SAED) 分析來分析薄晶體樣品的方法。 本文件適用于微米和亞微米尺寸的測(cè)試區(qū)域。 通過這種方法可以分析的樣品中選定區(qū)域的最小直徑受到顯微鏡物鏡的球面像差系數(shù)的限制，并且對(duì)于現(xiàn)代 TEM 而言接近數(shù)百納米。 當(dāng)分析樣本區(qū)域的尺寸小于該限制時(shí)，本文件也可用于分析程序。 但是，由于球面像差的影響，圖案中的一些衍射信息可以從由所選區(qū)域孔徑定義的區(qū)域外部生成。 在這種情況下，如果可以的話，最好使用微衍射（納米束衍射）或會(huì)聚束電子衍射。 本文件適用于從晶體樣品中獲取 SAED 圖案、索引圖案和衍射常數(shù)的校準(zhǔn)。

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