硅的表面
本專(zhuān)題涉及硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)有16條。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，硅的表面涉及到絕緣流體、橡膠和塑料工業(yè)的生產(chǎn)工藝、無(wú)機(jī)化學(xué)、粒度分析、篩分、分析化學(xué)、半導(dǎo)體材料、食品工藝、長(zhǎng)度和角度測(cè)量。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，硅的表面涉及到金屬物理性能試驗(yàn)方法、、半金屬、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、化學(xué)。
美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)，關(guān)于硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F612-88 清潔硅片表面的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐
- ASTM D1993-03(2013)e1 采用多點(diǎn)BET氮吸收法測(cè)定析出的硅表面面積的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM D5604-96 沉淀二氧化硅的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法.用單點(diǎn)B.E.T.氮的吸附法沉淀的硅表面積
- ASTM F1727-02 用于檢測(cè)因氧化引起的硅晶圓表面缺陷的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM D5604-96(2017) 沉淀二氧化硅的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法.用單點(diǎn)B.E.T.氮的吸附法沉淀的硅表面積
- ASTM D5604-96(2001) 沉淀二氧化硅的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法.用單點(diǎn)B.E.T.氮的吸附法沉淀的硅表面積
- ASTM D5604-96(2006) 沉淀二氧化硅的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法.用單點(diǎn)B.E.T.氮的吸附法沉淀的硅表面積
- ASTM F523-93(1997) 拋光硅片表面的無(wú)輔助目視檢查的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
國(guó)家質(zhì)檢總局，關(guān)于硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 6621-1995 硅拋光片表面平整度測(cè)試方法
- GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測(cè)定硅片表面的有機(jī)污染物
- GB/T 31225-2014 橢圓偏振儀測(cè)量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法
中國(guó)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)
- T/FSI 049-2020 氣相二氧化硅表面硅羥基含量測(cè)試方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 14706:2014 表面化學(xué)分析 用總反射X-射線熒光(TXRF)測(cè)定法測(cè)定硅晶片的表面基本的污染
- ISO 14706:2000 表面化學(xué)分析 用總反射X-射線熒光(TXRF)測(cè)定法測(cè)定硅晶片的表面基本的污染
意大利統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)
- UNI EN 1388-2:1997 與食品接觸的材料和物品 硅酸鹽表面 除陶瓷器皿外的硅酸鹽表面釋放的鉛和鎘的測(cè)定
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會(huì)，關(guān)于硅的表面的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS K 0148:2005 表面化學(xué)分析.用總反射X-射線熒光(TXRF)測(cè)定法測(cè)定硅晶片的表面主要污染物
