質(zhì)譜+離子
本專題涉及質(zhì)譜+離子的標準有147條。
國際標準分類中，質(zhì)譜+離子涉及到金屬材料試驗、分析化學(xué)、半導(dǎo)體材料、土質(zhì)、土壤學(xué)、犯罪行為防范、橡膠和塑料制品、核能工程、食品試驗和分析的一般方法、微生物學(xué)、光學(xué)和光學(xué)測量。
在中國標準分類中，質(zhì)譜+離子涉及到半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、基礎(chǔ)標準與通用方法、元素半導(dǎo)體材料、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、犯罪鑒定技術(shù)、塑料型材、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標準與通用方法、食品衛(wèi)生、化學(xué)、土壤環(huán)境質(zhì)量分析方法、基礎(chǔ)標準與通用方法、保健食品、一般有機化工原料、基礎(chǔ)標準與通用方法、基礎(chǔ)學(xué)科綜合、表面活性劑、輕金屬及其合金分析方法、光學(xué)計量儀器、衛(wèi)生綜合。
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- GB/T 41153-2021 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
- GB/T 41064-2021 表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法
- GB/T 40129-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀質(zhì)量標校準
- GB/T 40109-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 39144-2020 氮化鎵材料中鎂含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- GB/T 29851-2013 光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法
- GB/T 29852-2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法
- GB/T 25186-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.由離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)確定相對靈敏度因子
- GB/T 24580-2009 重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法
- GB/T 20176-2006 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- GB/T 32495-2016 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 22572-2008 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用多δ層參考物質(zhì)評估深度分辨參數(shù)的方法
- GB/T 32281-2015 太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質(zhì)譜法
國際標準化組織，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- ISO/TS 22933-2022 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.模擬離子質(zhì)譜中質(zhì)量分辨率的測量方法
- ISO 17109-2022 表面化學(xué)分析.深度剖面.用單層和多層薄膜在X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中測定濺射速率的方法
- ISO 18114:2021 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)的相對敏感性因子的測定
- ISO 18114-2021 表面化學(xué)分析. 次級離子質(zhì)譜法. 測定離子注入標樣中的相對靈敏度系數(shù)
- ISO 22415-2019 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.有機材料氬團簇濺射深度剖面測定屈服體積的方法
- ISO 13084:2018 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 用于飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)譜的校準
- ISO 13084-2018 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 用于飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)譜的校準
- ISO 17109-2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析 - 深度分析 - X射線光電子能譜法中的濺射速率測定方法 俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜法使用單層和多層薄膜的濺射深度分析
- ISO 17560:2014 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 17862-2013 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.單離子計數(shù)飛行時間質(zhì)量分析器強度標的線性
- ISO 17862:2013 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——單離子計數(shù)飛行時間質(zhì)量分析儀中強度標度的線性
- ISO 13084-2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.飛行時間二次離子質(zhì)譜儀用質(zhì)量標度的校準
- ISO 13084:2011 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——飛行時間二次離子質(zhì)譜儀質(zhì)量刻度的標定
- ISO 12406-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 12406:2010 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——硅中砷的深度剖面分析方法
- ISO 14237:2010 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——用均勻摻雜材料測定硅中硼原子濃度
- ISO 14237-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——使用多δ層標準物質(zhì)的硅深度校準方法
- ISO 23812-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.使用多δ層參考材料的硅深度校準方法
- ISO 23830:2008 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——靜態(tài)二次離子質(zhì)譜中相對強度標度的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- ISO 23830-2008 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.靜態(tài)次級離子質(zhì)譜測定法中相對強度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- ISO 22048:2004 表面化學(xué)分析——靜態(tài)二次離子質(zhì)譜信息格式
- ISO 22048-2004 表面化學(xué)分析.靜態(tài)次生離子質(zhì)譜法的信息格式
- ISO 20341:2003 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——利用多delta層標準物質(zhì)估算深度分辨率參數(shù)的方法
- ISO 20341-2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標準材料深度溶解參數(shù)的估算方法
- ISO 18114:2003 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——離子注入標準物質(zhì)相對靈敏度因子的測定
- ISO 18114-2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.測定離子注入標樣中的相對靈敏度系數(shù)
- ISO 14237:2000 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.使用均勻摻雜材料測定硅中的硼原子濃度
- ISO 14237-2000 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- ASTM D7363-13A(2021)e1 在選定離子監(jiān)測模式下用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體和烷基多環(huán)芳烴的標準試驗方法
- ASTM E1504-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1635-06(2019) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1162-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM C1845-16 使用高壓離子色譜（HPIC）通過電感耦合等離子體質(zhì)譜法（ICP-MS）同位素分析從鈾原子分離鑭系元素的標準實踐
- ASTM C1845-2016 在以電感耦合等離子體質(zhì)譜法 (ICP-MS)進行的同位素分析中使用高壓離子色譜法 (HPIC) 從鈾矩陣中分離鑭系元素的標準實施規(guī)程
- ASTM D7363-13a 使用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法在選定的離子監(jiān)測模式下測定沉積物孔隙中的親本和烷基多環(huán)芳烴的標準測試方法
- ASTM D7363-13 使用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法在選定的離子監(jiān)測模式下測定沉積物孔隙中的親本和烷基多環(huán)芳烴的標準測試方法
- ASTM D7363-2013 在選定的離子監(jiān)控模式下用固相微萃取法和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體芳烴和烷基多環(huán)芳烴的標準試驗方法
- ASTM D7363-2013a 在選定的離子監(jiān)控模式下用固相微萃取法和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體芳烴和烷基多環(huán)芳烴的標準試驗方法
- ASTM E1881-2012 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 對細胞培養(yǎng)分析的標準指南
- ASTM E1880-2012 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 進行組織低溫截面分析的標準實施規(guī)程
- ASTM D7363-11 使用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法在選定的離子監(jiān)測模式下測定沉積物孔隙中的親本和烷基多環(huán)芳烴的標準測試方法
- ASTM E1504-11 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1162-11 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1635-06(2011) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM D7363-2011 采用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜.選擇離子檢測模式測定沉淀物間隙水中前體及烷基多環(huán)芳香烴的標準試驗方法
- ASTM E1162-2011 報告次級離子質(zhì)譜分析法(SIMS)中濺深深度文件數(shù)據(jù)的標準操作規(guī)程
- ASTM E1504-2011 次級離子質(zhì)譜分析法中報告質(zhì)譜數(shù)據(jù)的標準操作規(guī)程
- ASTM E2426-2010 通過用次級離子質(zhì)譜法測量同位素比率對脈沖計算系統(tǒng)死時間測定的標準實施規(guī)程
- ASTM E2695-2009 用飛行時間二次離子質(zhì)譜法說明質(zhì)譜數(shù)據(jù)獲取的標準指南
- ASTM D7363-07 使用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法在選定的離子監(jiān)測模式下測定沉積物孔隙中的親本和烷基多環(huán)芳烴的標準測試方法
- ASTM D7363-2007 在選定的離子監(jiān)控模式下用固相微萃取法和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體芳烴和烷基多環(huán)芳烴的標準試驗方法
- ASTM E1162-06 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1504-06 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1635-06 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1162-2006 報告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中濺射深度截面數(shù)據(jù)的標準實施規(guī)程
- ASTM E1881-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進行細胞培養(yǎng)分析的標準指南
- ASTM E1880-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進行組織低溫截面分析的標準實施規(guī)程
- ASTM E1635-2006 報告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)用標準實施規(guī)程
- ASTM E1438-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量深度摻雜分布界面寬度標準指南
- ASTM E1504-2006 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1635-2006(2011) 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)報告標準規(guī)程
- ASTM E1635-95(2000) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM F1617-98 用二次離子質(zhì)譜法測量硅和外延襯底上表面鈉鋁鉀鐵的標準試驗方法
- ASTM F1617-1998 用次級離子質(zhì)譜測定法(SIMS)測定表面鈉,鋁,鉀-硅和EPI襯底的標準試驗方法
- ASTM E1504-92(1996) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1504-92(2001) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM F1366-92(1997)e1 用二次離子質(zhì)譜法測量重摻雜硅襯底中氧濃度的標準試驗方法
- ASTM E1504-1992(1996) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準規(guī)范
- ASTM E1504-1992(2001) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準規(guī)范
- ASTM E1438-1991(1996) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度
- ASTM E1438-1991(2001) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度
- ASTM E1162-87(1996) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1162-87(2001) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程
- ASTM E1162-1987(1996) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報告濺射深度截面數(shù)據(jù)
- ASTM E1162-1987(2001) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報告濺射深度截面數(shù)據(jù)
公安部，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- GA/T 1916-2021 法庭科學(xué) 生物檢材中氟乙酸根離子檢驗 液相色譜-質(zhì)譜法
- GA/T 1628-2019 法庭科學(xué) 生物檢材中草甘膦檢驗 離子色譜-質(zhì)譜法
日本工業(yè)標準調(diào)查會，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- JIS K0157-2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 渡越時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標度的校準
- JIS K0158-2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 單離子計數(shù)動態(tài)二次離子質(zhì)譜法中飽和強度的校正方法
- JIS K7129-6-2016 塑料. 薄膜和薄板材. 水蒸汽傳遞率的測定. 第6部分: 大氣壓力離子質(zhì)譜法
- JIS K0153-2015 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法中相對強度范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- JIS K0169-2012 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜(SIMS).帶多重亞鉛層對照物的深度分辨率參數(shù)估算方法
- JIS K0169-2012 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜(SIMS).帶多重亞鉛層對照物的深度分辨率參數(shù)估算方法
- JIS K0168-2011 表面化學(xué)分析.靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法用信息格式
- JIS K0163-2010 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.離子注入標樣中相對靈敏度系數(shù)的測定
- JIS K0143-2000 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.利用均勻摻雜材料測定硅中硼原子濃度
行業(yè)標準-公共安全標準，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- GA/T 1320-2016 法庭科學(xué)血液、尿液中氟離子氣相色譜-質(zhì)譜檢驗方法
- GA/T 933-2011 生物樣品中氟乙酸根離子的氣相色譜和氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用檢驗方法
英國標準學(xué)會，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- BS ISO 17109-2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- BS ISO 17109-2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- BS ISO 15106-6-2015 塑料. 薄膜和薄板. 水蒸汽傳遞率的測定. 大氣壓力離子質(zhì)譜法
- BS ISO 17862-2013 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.單離子計數(shù)飛行時間質(zhì)量分析器強度標的線性
- BS ISO 17862-2013 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.單離子計數(shù)飛行時間質(zhì)量分析器強度標的線性
- BS ISO 13084-2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.飛行時間二次離子質(zhì)譜用質(zhì)量標度的校準
- BS ISO 13084-2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.飛行時間二次離子質(zhì)譜用質(zhì)量標度的校準
- BS ISO 12406-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 12406-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 14237-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- BS ISO 14237-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- BS ISO 23812-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準物質(zhì)對硅進行深度校準的方法
- BS ISO 23812-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準物質(zhì)對硅進行深度校準的方法
- BS ISO 23830-2008 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.靜態(tài)次級離子質(zhì)譜法中相對強度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- BS ISO 22048-2005 表面化學(xué)分析.靜態(tài)次生離子質(zhì)譜法的信息格式
- BS ISO 20341-2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標準材料深度溶解參數(shù)的估算方法
- BS ISO 18114-2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.測定離子注入標樣的相對靈敏系數(shù)
行業(yè)標準-電子，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- SJ/T 11498-2015 重摻硅襯底中氧濃度的二次離子質(zhì)譜測量方法
- SJ/T 11493-2015 硅襯底中氮濃度的二次離子質(zhì)譜測量方法
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- SN/T 3850.1-2014 出口食品中多種糖醇類甜味劑的測定 第1部分：液相色譜串聯(lián)質(zhì)譜法和離子色譜法
行業(yè)標準-商品檢驗，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- SN/T 3541-2013 出口食品中多種醚類除草劑殘留量檢測方法 氣相色譜 -負化學(xué)離子源-質(zhì)譜法
- SN/T 2210-2008 保健食品中六價鉻的測定.離子色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
法國標準化協(xié)會，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- NF X21-070-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度.
- NF X21-066-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層參考物質(zhì)對硅進行深度校準的方法
- NF X21-064-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.靜態(tài)次級離子質(zhì)譜測定法中相對強度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
韓國標準，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
- KS D ISO 20341-2005 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標準材料深度溶解參數(shù)的估算方法
- KS D ISO 22048-2005 表面化學(xué)分析.靜態(tài)次生離子質(zhì)譜法的信息格式
- KS D ISO 18114-2005 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.測定離子注入標樣中的相對靈敏度系數(shù)
- KS D ISO 20341-2005 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標準材料深度溶解參數(shù)的估算方法
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，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
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澳大利亞標準協(xié)會，關(guān)于質(zhì)譜+離子的標準
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