二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料
本專(zhuān)題涉及二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)有209條。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料涉及到金屬材料試驗(yàn)、半導(dǎo)體材料、光學(xué)和光學(xué)測(cè)量、電子電信設(shè)備用機(jī)電元件、絕緣流體、陶瓷、半導(dǎo)體分立器件、墨水、油墨、表面處理和鍍涂、集成電路、微電子學(xué)、電子設(shè)備用機(jī)械構(gòu)件、化工產(chǎn)品、電線和電纜、電子元器件綜合、詞匯。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料涉及到金屬物理性能試驗(yàn)方法、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、無(wú)機(jī)化工原料綜合、電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備綜合、電子技術(shù)專(zhuān)用材料、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、特種陶瓷、半導(dǎo)體分立器件綜合、其他、元素半導(dǎo)體材料、催化劑、電子設(shè)備專(zhuān)用微特電機(jī)、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品綜合、微型電機(jī)、微電路綜合、電子設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)件、塑料型材、工業(yè)氣體與化學(xué)氣體、化合物半導(dǎo)體材料、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法。
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1550-2018 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法
- GB/T 14844-2018 半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法
- GB/T 37131-2018 納米技術(shù) 半導(dǎo)體納米粉體材料紫外-可見(jiàn)漫反射光譜的測(cè)試方法
- GB/T 36646-2018 制備氮化物半導(dǎo)體材料用氫化物氣相外延設(shè)備
國(guó)家質(zhì)檢總局，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 31469-2015 半導(dǎo)體材料切削液
- GB/T 14264-2009 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
- GB/T 1550-1997 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法
- GB/T 14844-1993 半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法
- GB/T 14264-1993 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
- GB/T 4298-1984 半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法
，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- STAS 6360-1974 半導(dǎo)體材料和設(shè)備．術(shù)語(yǔ)
國(guó)際電工委員會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- IEC 60749-39-2021 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體元件用有機(jī)材料中水分?jǐn)U散率和水溶性的測(cè)量
- IEC 60749-39:2021 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體元件用有機(jī)材料中水分?jǐn)U散率和水溶性的測(cè)量
- IEC 60749-39-2021 RLV 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體元件用有機(jī)材料中水分?jǐn)U散率和水溶性的測(cè)量
- IEC 60749-39:2021 RLV 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體元件用有機(jī)材料中水分?jǐn)U散率和水溶性的測(cè)量
- IEC 62047-31:2019 半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件第31部分:層狀MEMS材料界面結(jié)合能的四點(diǎn)彎曲試驗(yàn)方法
- IEC 62047-31-2019 半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件第31部分:層狀MEMS材料界面結(jié)合能的四點(diǎn)彎曲試驗(yàn)方法
- IEC 62951-5:2019 半導(dǎo)體器件.柔性和可伸展半導(dǎo)體器件.第5部分:柔性材料熱特性的試驗(yàn)方法
- IEC 62951-5-2019 半導(dǎo)體器件.柔性和可伸展半導(dǎo)體器件.第5部分:柔性材料熱特性的試驗(yàn)方法
- IEC 62899-203-2018 印刷電子.第203部分:材料.半導(dǎo)體油墨
- IEC 62047-21-2014 半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的試驗(yàn)方法
- IEC 62047-21:2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比試驗(yàn)方法
- IEC 62047-18-2013 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第18部分:薄膜材料的彎曲測(cè)試方法
- IEC 62047-11-2013 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第11部分:用于微機(jī)電系統(tǒng)的自由立體材料的線性熱膨脹系數(shù)的測(cè)試方法
- IEC 62047-18:2013 半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第18部分:薄膜材料的彎曲測(cè)試方法
- IEC 62047-11:2013 半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電裝置.第11部分:微型機(jī)電裝置用無(wú)需支撐物材料線性熱膨脹系數(shù)試驗(yàn)方法
- IEC 62047-14-2012 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第14部分:金屬膜材料的成形極限測(cè)量方法
- IEC 62047-10 CORR 1:2012 半導(dǎo)體裝置.微機(jī)電裝置.第10部分:MEMS材料的微極壓縮試驗(yàn).勘誤表1
- IEC 62047-14:2012 半導(dǎo)體裝置.微電機(jī)裝置.第14部分:金屬薄膜材料的成型極限測(cè)量方法
- IEC 62047-10 Corrigendum 1:2012 半導(dǎo)體裝置.微機(jī)電裝置.第10部分:MEMS材料的微極壓縮試驗(yàn).勘誤表1
- IEC 62047-12-2011 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第12部分:使用諧振器振蕩的薄膜材料的彎曲疲勞測(cè)試方法
- IEC 62047-12:2011 半導(dǎo)體器件.微電機(jī)器件.第12部分:使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測(cè)試方法
- IEC 62047-10-2011 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第10部分:MEMS材料的微柱壓縮測(cè)試
- IEC 62047-6-2009 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第6部分:薄膜材料的軸向疲勞試驗(yàn)方法
- IEC 62047-6:2009 半導(dǎo)體裝置.微電機(jī)裝置.第6部分:薄膜材料的軸向疲勞試驗(yàn)方法
- IEC 62047-2-2006 半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第2部分:薄膜材料的拉伸測(cè)試方法
- IEC 62047-2:2006 半導(dǎo)體裝置.微型機(jī)電裝置.第2部分:薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法
- IEC 60749-39-2006 半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第39部分:用于半導(dǎo)體元件的有機(jī)材料中水分?jǐn)U散率和水溶解度的測(cè)量
- IEC 60749-39:2006 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體器件使用的有機(jī)材料的濕氣擴(kuò)散性和水溶解性的測(cè)量
法國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- NF B44-101-5-2021 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
- NF B44-101-4-2021 精細(xì)陶瓷 (現(xiàn)代陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法. 第4部分: 甲醛的清除
- NF C96-050-21-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比試驗(yàn)方法
- NF C96-050-11-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第11部分: 微型機(jī)電裝置用無(wú)需支撐物材料線性熱膨脹系數(shù)試驗(yàn)方法
- NF C96-050-18-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第18部分: 薄膜材料彎曲試驗(yàn)方法
- NF B44-105-2013 細(xì)陶瓷 (現(xiàn)代陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷) - 室內(nèi)照明環(huán)境下使用的半導(dǎo)體光催化材料的測(cè)試光源
- NF B44-101-4-2013 細(xì)陶瓷 (現(xiàn)代陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷) - 半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法 - 第4部分: 甲醛的清除
- NF B44-101-5-2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.第5部分:甲硫醇的清除
- NF C96-050-10-2012 半導(dǎo)體器件.微電子機(jī)械器件.第10部分:MEMES材料微極壓縮測(cè)試
- NF C96-050-14-2012 半導(dǎo)體裝置.微電機(jī)裝置.第14部分:金屬薄膜材料的成形極限測(cè)量方法
- NF C96-050-12-2012 半導(dǎo)體器件 - 微型機(jī)電裝置 - 第12部分: 使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測(cè)試方法.
- NF B44-103-2011 細(xì)瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).測(cè)試半導(dǎo)體光催化材料所用的紫外光源.
- NF C96-050-6-2010 半導(dǎo)體裝置.微電機(jī)裝置.第6部分:薄膜材料的軸向疲勞試驗(yàn)方法.
- NF C96-022-39-2006 半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:測(cè)量用于半導(dǎo)體元件的有機(jī)材料的濕氣擴(kuò)散性和水溶解性
- NF C96-050-2-2006 半導(dǎo)體裝置.微型機(jī)電裝置.第2部分:薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 22197-5:2021 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
- ISO 22197-4:2021 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法. 第5部分: 甲醛的清除
- ISO 22551:2020 精細(xì)陶瓷（高級(jí)陶瓷 高級(jí)工業(yè)陶瓷）.室內(nèi)照明環(huán)境下用半導(dǎo)體光催化材料測(cè)定細(xì)菌還原率.估算實(shí)際環(huán)境細(xì)菌污染表面抗菌活性的半干法
- ISO 22197-3:2019 精細(xì)陶瓷（先進(jìn)陶瓷 先進(jìn)技術(shù)陶瓷） - 半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能試驗(yàn)方法 - 第3部分:去除甲苯
- ISO 22197-2:2019 精細(xì)陶瓷（先進(jìn)陶瓷 先進(jìn)技術(shù)陶瓷） - 半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能試驗(yàn)方法 - 第2部分:去除乙醛
- ISO 22601:2019 精細(xì)陶瓷（高級(jí)陶瓷 高級(jí)工業(yè)陶瓷）.通過(guò)定量分析總有機(jī)碳（TOC）測(cè)定半導(dǎo)體光催化材料苯酚氧化分解性能的試驗(yàn)方法
- ISO 27447:2019 精細(xì)陶瓷（高級(jí)陶瓷 高級(jí)工業(yè)陶瓷）.半導(dǎo)體光催化材料抗菌活性的試驗(yàn)方法
- ISO 19810:2017 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下半導(dǎo)體光催化材料自清潔性能的試驗(yàn)方法. 水接觸角測(cè)量
- ISO 19722:2017 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 采用溶氧消耗法測(cè)定半導(dǎo)體光催化材料光催化活性的試驗(yàn)方法
- ISO 22197-1:2016 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能試驗(yàn)方法. 第1部分: 一氧化氮凈化
- ISO 18071:2016 精細(xì)陶瓷 (高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下半導(dǎo)體光催化材料的抗病毒活性的測(cè)定. 采用噬菌體Q-β的試驗(yàn)方法
- ISO 19635:2016 精細(xì)陶瓷 (高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料抑藻活性的試驗(yàn)方法
- ISO 18061:2014 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料的抗病毒活性的測(cè)定. 采用噬菌體Q-β的試驗(yàn)方法
- ISO 17094:2014 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下半導(dǎo)體光催化材料的抗菌活性的試驗(yàn)方法
- ISO 14605:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工藝陶瓷).室內(nèi)照明環(huán)境用測(cè)試半導(dǎo)體光電材料光源
- ISO 22197-5:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.第5部分:甲硫醇的清除
- ISO 22197-4:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.第5部分:甲醛的清除
- ISO 13125:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料抗真菌作用試驗(yàn)方法
- ISO 22197-2:2011 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.第2部分:乙醛的清除
- ISO 22197-3:2011 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.第3部分:甲苯的清除
- ISO 10676:2010 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工藝陶瓷).利用活性氧形成能力測(cè)定半導(dǎo)體光催化材料的水凈化性能的測(cè)試方法
- ISO 27447:2009 精細(xì)陶瓷.(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的抗菌活性用測(cè)試方法
- ISO 22197-1:2007 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能用試驗(yàn)方法.第1部分:氧化一氮的移除
陜西省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- DB61/T 1250-2019 Sic（碳化硅）材料半導(dǎo)體分立器件通用規(guī)范
英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 19810:2017 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下半導(dǎo)體光催化材料自清潔性能的試驗(yàn)方法. 水接觸角測(cè)量
- BS ISO 19722:2017 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 采用溶氧消耗法測(cè)定半導(dǎo)體光催化材料光催化活性的試驗(yàn)方法
- BS ISO 22197-1:2016 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能用試驗(yàn)方法.一氧化氮的移除
- BS ISO 18071:2016 精細(xì)陶瓷 (高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下半導(dǎo)體光催化材料的抗病毒活性的測(cè)定. 采用噬菌體Q-β的試驗(yàn)方法
- BS ISO 19635:2016 精細(xì)陶瓷 (高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料抑藻活性的試驗(yàn)方法
- BS EN 62047-21-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 薄膜MEMS材料泊松比試驗(yàn)方法
- BS ISO 18061:2014 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 半導(dǎo)體光催化材料的抗病毒活性的測(cè)定. 采用噬菌體Q-β的試驗(yàn)方法
- BS ISO 17094:2014 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下半導(dǎo)體光催化材料的抗菌活性的試驗(yàn)方法
- BS PD CEN/TS 16599-2014 光催化. 半導(dǎo)體材料光催化性能試驗(yàn)的輻照條件以及此類(lèi)條件的測(cè)量
- BS ISO 14605:2013 細(xì)陶瓷 (現(xiàn)代陶瓷, 高級(jí)工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下使用的半導(dǎo)體光催化材料的測(cè)試光源
- BS EN 62047-11-2013 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 微型機(jī)電裝置用無(wú)需支撐物材料線性熱膨脹系數(shù)試驗(yàn)方法
- BS EN 62047-18-2013 半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電裝置.薄膜材料的彎曲測(cè)試方法
- BS ISO 22197-4:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.甲醛的清除
- BS ISO 22197-5:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法.甲硫醇的清除
- BS ISO 13125:2013 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料抗真菌作用試驗(yàn)方法
- BS EN 62047-14-2012 半導(dǎo)體裝置.微型電機(jī)裝置.金屬薄膜材料的成形極限測(cè)量方法
- BS EN 62047-12-2011 半導(dǎo)體裝置.微型機(jī)電裝置.使用MEMS結(jié)構(gòu)的共振,薄膜材料的彎曲撓度試驗(yàn)方法
- BS EN 62047-10-2011 半導(dǎo)體裝置.微電子機(jī)械裝置.MEMS材料的微型柱壓縮試驗(yàn)
- BS ISO 10677:2011 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)技術(shù)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料測(cè)試用紫外光源
- BS ISO 22197-2:2011 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料空氣凈化性能的試驗(yàn)方法 乙醛的脫除
- BS ISO 22197-3:2011 精制陶瓷(優(yōu)質(zhì)陶器,先進(jìn)工藝陶器).半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能試驗(yàn)方法.甲苯的移除
- BS ISO 10676:2011 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).用形成活性氧的能力測(cè)量半導(dǎo)體光催化材料的水凈化性能的試驗(yàn)方法
- BS EN 62047-6-2010 半導(dǎo)體裝置.微機(jī)電裝置.薄膜材料的軸向疲勞試驗(yàn)方法
- BS ISO 27448:2009 細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的自潔性能用試驗(yàn)方法.水接觸角度的測(cè)量
- BS ISO 22197-1:2008 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷,高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能用試驗(yàn)方法.一氧化氮的移除
- BS EN 60749-39-2006 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.半導(dǎo)體器件用有機(jī)材料濕氣擴(kuò)散性和水溶解性的測(cè)量
- BS EN 62047-2-2006 半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法
德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- DIN ISO 22197-1:2016 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能用試驗(yàn)方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
- DIN 50451-3-2014 半導(dǎo)體工藝用材料測(cè)試. 液體中痕量元素測(cè)定. 第3部分: 使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法 (ICP-MS) 測(cè)定高純度硝酸中的31種元素
- DIN 50451-6-2014 半導(dǎo)體工藝用材料測(cè)試. 液體中痕量元素測(cè)定. 第6部分: 測(cè)定含有氫氟酸的高純度氟化銨溶液蝕刻混合物和高純度氟化銨溶液 (NH4F) 中的36種元素
- DIN EN 62047-18-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第18部分:薄膜材料的彎曲試驗(yàn)方法 (IEC 62047-18-2013); 德文版本EN 62047-18-2013
- DIN EN 62047-11-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第11部分:微型機(jī)電裝置用無(wú)需支撐物材料線性熱膨脹系數(shù)試驗(yàn)方法 (IEC 62047-11-2013); 德文版本EN 62047-11-2013
- DIN 51456-2013 半導(dǎo)體技術(shù)用材料的試驗(yàn). 使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法 (ICP-MS) 通過(guò)水分析解決方案的多元素測(cè)定進(jìn)行硅晶片的表面分析
- DIN EN 62047-14-2012 半導(dǎo)體裝置.微電機(jī)裝置.第14部分:金屬薄膜材料的成型極限測(cè)量方法(IEC 62047-14-2012).德文版本EN 62047-14-2012
- DIN EN 62047-12-2012 半導(dǎo)體器件.微電機(jī)器件.第12部分:使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測(cè)試方法(IEC 62047-12-2011).德文版本EN 62047-12-2011
- DIN EN 62047-10-2012 半導(dǎo)體器件.微電子機(jī)械器件.第10部分:MEMES材料微極壓縮試驗(yàn)(IEC 62047-10-2011).德文版本 EN 62047-10-2011
- DIN EN 62047-6-2010 半導(dǎo)體器件. 微電機(jī)設(shè)備. 第6部分: 薄膜材料的軸向疲勞試驗(yàn)方法（IEC 62047-6: 2009）; 德文版本EN 62047-6: 2010
- DIN 50451-5-2010 半導(dǎo)體工藝用材料測(cè)試.液體中痕量元素測(cè)定.第5部分:在每千克微克和每千克豪微克范圍之內(nèi)的痕量元素測(cè)定用樣品和樣品制備裝置的材料選擇及其適用性試驗(yàn)指南
- DIN 50452-2-2009 半導(dǎo)體技術(shù)用材料的試驗(yàn).液體中粒子分析的試驗(yàn)方法.第2部分:利用光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器測(cè)定粒子
- DIN 50455-1-2009 半導(dǎo)體技術(shù)用材料的試驗(yàn).表征光阻劑方法.第1部分:涂層厚度的光學(xué)法測(cè)定
- DIN 50451-4-2007 半導(dǎo)體工藝用材料測(cè)試.液體中痕量元素測(cè)定.用電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)定法測(cè)定純凈水中34中微量元素
- DIN EN 62047-2-2007 半導(dǎo)體裝置.微型電機(jī)裝置.第2部分:薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法
- DIN EN 60749-39-2007 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:測(cè)量用于半導(dǎo)體元件的有機(jī)材料的濕氣擴(kuò)散性和水溶解性
- DIN 50451-3-2003 半導(dǎo)體工藝用材料測(cè)試.液體中痕量元素測(cè)定.第3部分:用電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定硝酸中鋁(AL)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈉(Na)、鎳(Ni)和鋅(Zn)的含量
- DIN 50451-1-2003 半導(dǎo)體工藝材料檢驗(yàn).液體中痕量元素測(cè)定.用原子吸收光譜測(cè)定法測(cè)定硝酸溶劑中銀、金、鈣、銅、鐵、鉀和鈉的含量
- DIN 50450-9-2003 半導(dǎo)體工藝材料測(cè)試.載氣和摻雜氣體雜質(zhì)測(cè)定.第9部分:用氣相色譜法測(cè)定氣態(tài)氯化氫中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氫和C<下標(biāo)1>-C<下標(biāo)3>-烴類(lèi)含量
- DIN 50451-2-2003 半導(dǎo)體工藝材料測(cè)試.液體中痕量元素測(cè)定.第2部分:用等離子感應(yīng)發(fā)射分光光度測(cè)定法測(cè)定氫氟酸中鈷(Co)、鉻(Cr)、銅(Ca)、鐵(Fe)和鎳(Ni)的含量
- DIN 50454-1-2000 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).Ⅲ-Ⅴ化合物單晶體錯(cuò)位的測(cè)定.第1部分:砷化鎵
- DIN 50455-2-1999 半導(dǎo)體技術(shù)用材料的試驗(yàn).表征光敏抗蝕劑的方法.第2部分:陽(yáng)極光敏抗蝕劑的光敏度的測(cè)定
- DIN 50456-3-1999 半導(dǎo)體工藝技術(shù)用材料的試驗(yàn).電子元件模塑化合物材料的特性表示法.第3部分:陽(yáng)離子雜質(zhì)的測(cè)定
- DIN 50441-4-1999 半導(dǎo)體工藝用材料的試驗(yàn).半導(dǎo)體圓片幾何尺寸的測(cè)定.第4部分:圓片直徑,直徑變化量,扁片直徑,扁片長(zhǎng)度和扁片厚度
- DIN 50441-2-1998 半導(dǎo)體工藝材料的試驗(yàn).半導(dǎo)體芯片幾何尺寸的測(cè)量.第2部分:棱角剖面的試驗(yàn)
- DIN 50440-1998 半導(dǎo)體工藝材料的試驗(yàn).硅單晶中載流子壽命的測(cè)量.用光電導(dǎo)法在微小噴射時(shí)測(cè)量復(fù)合載流子壽命
- DIN 50448-1998 半導(dǎo)體工藝材料試驗(yàn).使用電容式探測(cè)器對(duì)半絕緣半導(dǎo)體切片電阻率的無(wú)接觸測(cè)定
- DIN 50449-2-1998 半導(dǎo)體工藝材料試驗(yàn).通過(guò)紅外線吸收測(cè)定半導(dǎo)體中雜質(zhì)含量.第2部分:砷化鎵中的硼
- DIN 50449-1-1997 半導(dǎo)體工藝用材料的檢驗(yàn).通過(guò)紅外線吸收測(cè)定Ⅲ-Ⅴ-連接半導(dǎo)體雜質(zhì)含量.第1部分:砷化鎵中的碳素
- DIN 50441-1-1996 半導(dǎo)體工藝材料試驗(yàn).半導(dǎo)體片幾何尺寸測(cè)量.第1部分:厚度和厚度變化
- DIN 50452-1-1995 半導(dǎo)體工藝用材料的檢驗(yàn).液體中粒子分析的試驗(yàn)方法.第1部分:粒子的顯微鏡測(cè)定
- DIN 50452-3-1995 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).液體中顆粒分析的試驗(yàn)方法.第3部分:光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器校正
- DIN 50446-1995 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).硅晶體外延層缺陷種類(lèi)和缺陷密度的測(cè)定
- DIN 50438-1-1995 半導(dǎo)體工藝材料檢驗(yàn).用紅外吸收法測(cè)量硅的雜質(zhì)含量.第1部分:氧
- DIN 50456-2-1995 半導(dǎo)體工藝材料的試驗(yàn).電子元件用模塑化合物的特性表示法.第2部分:用壓力萃取法測(cè)定電離子雜質(zhì)
- DIN 50447-1995 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).用渦流法無(wú)接點(diǎn)測(cè)量半導(dǎo)體層的表面電阻
- DIN 50454-2-1994 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體單晶錯(cuò)位腐蝕坑密度的測(cè)定.第2部分:銦磷化物
- DIN 50454-3-1994 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體單晶錯(cuò)位腐蝕坑密度的測(cè)定.第3部分:鎵磷化物
- DIN 50450-4-1993 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).運(yùn)載氣體和摻雜劑氣體中雜質(zhì)的測(cè)定.用氣相色譜法測(cè)定氮?dú)庵蠧1－C3烴類(lèi)化合物
- DIN 50445-1992 半導(dǎo)體工藝材料檢驗(yàn).用渦流法無(wú)接觸測(cè)定電阻率.均勻摻雜半導(dǎo)體片
- DIN 50455-1-1991 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).表示光致抗蝕劑特性的方法.第1部分:用光學(xué)測(cè)量法對(duì)涂層厚度的測(cè)定
- DIN 50450-2-1991 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).載運(yùn)氣體和混合氣體中雜質(zhì)的測(cè)定.第2部分:用原電池測(cè)定氮(下標(biāo)2)、氬、氦、氖、氫(下標(biāo)2)中的氧雜質(zhì)
- DIN 50452-2-1991 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).液體中顆粒分析的試驗(yàn)方法.第2部分:用光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器對(duì)顆粒的測(cè)定
- DIN 50450-3-1991 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).載運(yùn)氣體和混合氣體中雜質(zhì)的測(cè)定.第3部分:用火焰電離檢驗(yàn)測(cè)器測(cè)定氫(下標(biāo)2)、氧(下標(biāo)2)、氮(下標(biāo)2)、氬、氦中的甲烷雜質(zhì)
- DIN 50453-1-1990 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).蝕刻混合劑浸蝕率的測(cè)定.第1部分:單晶硅測(cè)重法
- DIN 50453-2-1990 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).蝕刻混合劑浸蝕率的測(cè)定.第2部分:二氧化硅涂層.光學(xué)法
- DIN 50443-1-1988 半導(dǎo)體工藝使用材料的檢驗(yàn).第1部分:用X射線外形測(cè)量法檢測(cè)半導(dǎo)體單晶硅中晶體缺陷和不均勻性
- DIN 50431-1988 半導(dǎo)體材料的試驗(yàn).用探針直線排列的四探針/直流法測(cè)量單晶硅或鍺單晶體的電阻率
- DIN 50435-1988 半導(dǎo)體材料試驗(yàn):采用四探針/直流法測(cè)量硅片和鍺片電阻率的徑向變化
- DIN 50450-1-1987 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).載運(yùn)氣體和添加劑氣體中雜質(zhì)的測(cè)定.用五氧化二磷電池測(cè)定氫、氧、氮、氬和氦中的水雜質(zhì)
- DIN 50434-1986 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).對(duì)(111)和(100)表面采用蝕刻技術(shù)的單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)缺陷的測(cè)定
- DIN 50441-3-1985 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).第3部分:半導(dǎo)體切片幾何尺寸的測(cè)量.第3部分:用多射線干涉法測(cè)定拋光切片的平面偏差
- DIN 50439-1982 半導(dǎo)體技術(shù)材料的試驗(yàn).用電容--電壓法和水銀接點(diǎn)確定單晶層半導(dǎo)體材料中摻雜劑的濃度分布曲線
- DIN 50438-2-1982 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).第2部分:用紅外線吸收法測(cè)量硅中雜質(zhì)含量.碳
- DIN 50433-3-1982 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn).第3部分:采用勞埃反向散射法測(cè)定單晶體取向
- DIN 50442-1-1981 半導(dǎo)體無(wú)機(jī)材料的檢驗(yàn).圓形單晶體半導(dǎo)體薄片表面結(jié)構(gòu)的測(cè)定.第1部分:切割和研磨的薄片
- DIN 50437-1979 半導(dǎo)體無(wú)機(jī)材料的試驗(yàn).用紅外線干涉法測(cè)量硅外延生長(zhǎng)層的的厚度
- DIN 50433-1-1976 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn).第1部分:采用X射線衍射現(xiàn)象對(duì)單晶體取向的測(cè)定
- DIN 50433-2-1976 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn).第2部分:采用反射光影法測(cè)定單晶體取向
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS C5630-18-2014 半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第18部分: 薄膜材料的彎曲試驗(yàn)方法
- JIS C5630-12-2014 半導(dǎo)體器件.微電機(jī)器件.第12部分:使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測(cè)試方法
- JIS R1750-2012 精細(xì)陶瓷.室內(nèi)光環(huán)境下測(cè)試半導(dǎo)體光催化材料用光源
- JIS C5630-6-2011 半導(dǎo)體器件.微電機(jī)裝置.第6部分:薄膜材料的軸向疲勞測(cè)試方法
- JIS C5630-2-2009 半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第2部分:薄膜材料的拉伸測(cè)試方法
歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- PD CEN/TS 16599-2014 光催化.半導(dǎo)體材料光催化性能的輻照條件及這些條件的測(cè)定
韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- KS L ISO 10676:2012 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工藝陶瓷).利用活性氧形成能力測(cè)定半導(dǎo)體光催化材料的水凈化性能的測(cè)試方法
- KS L ISO 27447:2011 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的抗菌活性用測(cè)試方法
- KS L ISO 22197-1:2008 精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷、高級(jí)工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的空氣凈化性能用試驗(yàn)方法.第1部分:氧化一氮的移除
- KS C IEC 60749-39:2006 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體器件使用的有機(jī)材料濕氣擴(kuò)散性和水溶解性的測(cè)量
歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- EN 62047-10-2011 半導(dǎo)體器件.微型電機(jī)裝置.第10部分:微型電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)材料的微柱壓縮試驗(yàn)
- EN 62047-12-2011 半導(dǎo)體器件.微型電機(jī)裝置.第12部分:用微型電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)結(jié)構(gòu)諧振進(jìn)行薄膜材料的彎曲疲勞試驗(yàn)方法
- EN 62047-2-2006 半導(dǎo)體器件微電機(jī)器件.第2部分:薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法 IEC 62047-2:2006
- EN 60749-39-2006 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體元器件用有機(jī)材料濕氣擴(kuò)散率和水溶率的測(cè)試 IEC 60749-39-2006
美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- ANSI/ASTM D3004:2008 壓塑交聯(lián)和熱塑性半導(dǎo)體導(dǎo)管和絕緣防護(hù)材料用規(guī)范
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ 20744-1999 半導(dǎo)體材料雜質(zhì)含量紅外吸收光譜分析通用導(dǎo)則
- SJ/Z 3206.13-1989 半導(dǎo)體材料發(fā)射光譜分析方法通則
- SJ/T 11067-1996 紅外探測(cè)材料中半導(dǎo)體光電材料和熱釋電材料常用名詞術(shù)語(yǔ)
澳大利亞標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)，關(guān)于二碲化鉬-新型半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)
- AS/NZS 1660.2.3-1998 電纜、包皮和導(dǎo)體的測(cè)試方法 絕緣、擠壓半導(dǎo)體屏蔽和非金屬外殼 PVC和鹵素?zé)崴苄运芰喜牧系奶囟ǚ椒?/li>
- AS/NZS 1660.2.2-1998 電纜、包皮和導(dǎo)體的測(cè)試方法 絕緣、擠壓半導(dǎo)體屏蔽和非金屬外殼 人造橡膠、XLPE和XLPVC材料的特定方法
