表面 硅
本專題涉及表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)有75條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，表面 硅涉及到分析化學(xué)、金屬材料試驗、長度和角度測量、半導(dǎo)體材料、絕緣流體、涂料配料、集成電路、微電子學(xué)、技術(shù)制圖、電子設(shè)備用機(jī)械構(gòu)件、半導(dǎo)體分立器件、無機(jī)化學(xué)、與食品接觸的物品與材料。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，表面 硅涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、金屬物理性能試驗方法、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、元素半導(dǎo)體材料、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、半金屬、金相檢驗方法、半導(dǎo)體分立器件綜合、化學(xué)、輕金屬及其合金分析方法、標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法。
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 40109-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 19921-2018 硅拋光片表面顆粒測試方法
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 31225-2014 橢圓偏振儀測量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法
- GB/T 29849-2013 光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法
- GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法
- GB/T 6624-2009 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法
- GB/T 20176-2006 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- GB/T 19921-2005 硅拋光片表面顆粒測試方法
- GB/T 17169-1997 硅拋光片和外延片表面質(zhì)量光反射測試方法
- GB/T 6624-1995 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
- GB/T 6621-1995 硅拋光片表面平整度測試方法
- GB/T 32495-2016 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 23170-2022 表面化學(xué)分析.深度剖面.用中能離子散射法對硅襯底上納米級重金屬氧化物薄膜進(jìn)行無損深度剖面
- ISO 23157:2021 氣相色譜法測定氣相二氧化硅表面硅醇基含量
- ISO 17560:2014 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 17560-2014 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深仿形方法
- ISO 14706-2014 表面化學(xué)分析 用總反射X-射線熒光(TXRF)測定法測定硅晶片的表面基本的污染
- ISO 14706:2014 表面化學(xué)分析 - 通過全反射X射線熒光（TXRF）光譜測定硅晶片上的表面元素污染
- ISO 12406-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 12406:2010 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——硅中砷的深度剖面分析方法
- ISO 14237:2010 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——用均勻摻雜材料測定硅中硼原子濃度
- ISO 17331 AMD 1-2010 表面化學(xué)分析.硅晶片加工標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)表面元素收集用化學(xué)方法和及其光分析儀(TXRF)光譜學(xué)測定.修改件1
- ISO 14237-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——使用多δ層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的硅深度校準(zhǔn)方法
- ISO 23812-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.使用多δ層參考材料的硅深度校準(zhǔn)方法
- ISO 17560-2002 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深仿形方法
- ISO 14706-2000 表面化學(xué)分析 用總反射X-射線熒光(TXRF)測定法測定硅晶片的表面基本的污染
- ISO 14237:2000 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.使用均勻摻雜材料測定硅中的硼原子濃度
- ISO 14237-2000 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 17560-2014 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量光譜測定.硅中硼的深仿形分析法
- BS EN 60191-6-22-2013 半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化. 表面安裝半導(dǎo)體器件封裝輪廓圖的一般制備規(guī)則. 硅細(xì)間距球柵格陣列和硅細(xì)間距柵格陣列半導(dǎo)體封裝的設(shè)計指南(S-FBGA和S-FLGA)
- BS EN 60191-6-22-2013 半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化. 表面安裝半導(dǎo)體器件封裝輪廓圖的一般制備規(guī)則. 硅細(xì)間距球柵格陣列和硅細(xì)間距柵格陣列半導(dǎo)體封裝的設(shè)計指南(S-FBGA和S-FLGA)
- BS ISO 12406-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 12406-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 14237-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- BS ISO 14237-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- BS ISO 23812-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準(zhǔn)物質(zhì)對硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法
- BS ISO 23812-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準(zhǔn)物質(zhì)對硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法
- BS ISO 17560-2002 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量光譜測定.硅中硼的深仿形分析法
- BS EN 1388-1-1996 與食品接觸的材料和物品.硅化表面.第1部分:測定從陶瓷品中釋放的鉛和鎘
- BS EN 1388-2-1996 與食品接觸的材料和物品.硅化表面.第2部分:陶瓷品除外的測定從硅化表面釋放的鉛和鎘
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- DIN 51456-2013 半導(dǎo)體技術(shù)用材料的試驗. 使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法 (ICP-MS) 通過水分析解決方案的多元素測定進(jìn)行硅晶片的表面分析
- DIN EN 60191-6-22-2013 半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化. 第6-22部分: 表面安裝半導(dǎo)體器件封裝輪廓圖的一般制備規(guī)則. 硅細(xì)間距球柵格陣列和硅細(xì)間距柵格陣列半導(dǎo)體封裝的設(shè)計指南(S-FBGA和S-FLGA) (IEC 60191-6-22-2012); 德文版本EN 60191-6-22-2013
- DIN EN 1388-1-1995 與食品接觸的材料和物品.硅化表面.第1部分:測定從陶瓷制品中釋放的鉛和鎘; 德文版本 EN 1388-1:1995
- DIN EN 1388-2-1995 與食品接觸的材料和物品.硅化表面.第2部分:除陶瓷制品外測定從硅化表面釋放的鉛和鎘; 德文版本 EN 1388-2:1995
國際電工委員會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- IEC 60191-6-22:2012 半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-22部分:表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則半導(dǎo)體封裝的設(shè)計指南硅細(xì)間距球柵陣列和硅細(xì)間距地柵陣列（S-FBGA和S-FLGA）
- IEC 60191-6-22-2012 半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化.第6-22部分:表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的通用規(guī)則.硅細(xì)間距球陣列和硅細(xì)間距柵格陣列半導(dǎo)體封裝的的設(shè)計指南(S-FBGA和S-FLGA)
法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- NF X21-070-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度.
- NF X21-066-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層參考物質(zhì)對硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法
- NF X21-051-2006 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深仿形方法
- NF D25-501-2-1996 接觸食品的材料和物品.硅化表面.第2部分:除陶瓷品外測定從硅化表面釋放的鉛和鎘
- NF D25-501-1-1996 與食品接觸的材料和器具.硅酸酯表面.第1部分:從陶瓷器具中釋放的鉛和鎘的測定
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS K0164-2010 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深壓型用方法
- JIS K0148-2005 表面化學(xué)分析.用總反射X-射線熒光(TXRF)測定法測定硅晶片的表面主要污染物
- JIS K0143-2000 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.利用均勻摻雜材料測定硅中硼原子濃度
韓國標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D ISO 14706-2003 表面化學(xué)分析.用全反射X射線熒光光譜法測定硅圓片表面主要污物
- KS D ISO 14706-2003 表面化學(xué)分析.用全反射X射線熒光光譜法測定硅圓片表面主要污物
- KS D ISO 14237-2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.使用非均一摻雜材料的硅中硼原子的濃度測定
- KS D ISO 14237-2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.使用非均一摻雜材料的硅中硼原子的濃度測定
- KS D ISO 17560-2003 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深仿形方法
- KS D ISO 17560-2003 表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深仿形方法
，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D ISO 17560-2003(2018) 表面化學(xué)分析-二次離子質(zhì)量分析-硅內(nèi)硼深度分布測量方法
- KS D ISO 14237-2003(2018) 表面下學(xué)分析-二次離子質(zhì)量分析-硅內(nèi)均勻添加的硼原子濃度的測量方法
美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM D1993-2003(2013)e1 采用多點BET氮吸收法測定析出的硅表面面積的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
- ASTM F154-00 鏡面硅表面結(jié)構(gòu)和污染物識別的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM F154-2000 鏡面硅表面存在的結(jié)構(gòu)和污染物識別的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM F1617-98 用二次離子質(zhì)譜法測量硅和外延襯底上表面鈉鋁鉀鐵的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
- ASTM F1617-1998 用次級離子質(zhì)譜測定法(SIMS)測定表面鈉,鋁,鉀-硅和EPI襯底的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
- ASTM F672-1988(1995)e1 用分布電阻探頭測量硅晶片垂直于表面的縱斷面電阻率的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
(美國)福特汽車標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- FORD WSD-M1A319-A1-2002 表面打磨的閥彈簧用鉻硅合金鋼絲***與標(biāo)準(zhǔn)FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
澳大利亞標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會，關(guān)于表面 硅的標(biāo)準(zhǔn)
- AS ISO 14237-2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜測量法．使用均一的絕緣材料測定硅中的硼原子濃度
- AS ISO 17560-2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜測量法．硅中注入硼的深度分布分析法
- AS ISO 17560-2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜測量法．硅中注入硼的深度分布分析法
- AS ISO 14237-2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜測量法．使用均一的絕緣材料測定硅中的硼原子濃度
