碲化鎘的結(jié)構(gòu)和用途
碲化鎘是由碲和鎘構(gòu)成的一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料。
分子式為CdTe，其晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)0.6481nm，熔點1092℃，密度5.766g/cm3，禁帶寬度1.5eV(25℃)，能帶構(gòu)造為直接型，電子遷移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴遷移率(25℃)80cm2/(V·s)，電子有效質(zhì)量0.096，電阻率103～107Ω·cm。以高純碲和鎘為原料，脫氧后合成碲化鎘，再用垂直定向結(jié)晶Chemicalbook法或垂直區(qū)熔法生長成單晶或多晶。
單晶用于制作紅外電光調(diào)制器、紅外探測器、紅外透鏡和窗口、磷光體、常溫γ射線探測器、太陽能電池及接近可見光區(qū)的發(fā)光器件等，碲化鎘太陽能電池，較單晶硅太陽能電池有制作方便，成本低廉和重量較輕等優(yōu)點。Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料是重要的半導(dǎo)體材料，高、力學(xué)性能差，至今難以制成大直徑體單晶，許多材料多作成外延薄膜。已獲重要應(yīng)用的有碲化鎘、硫化鎘、硒化鋅、硫化鋅以及本族的固溶半導(dǎo)體材料碲鎘汞(Hg1-xCdxTe)等。
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